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|轉至：技成培訓
一說到開關，大家都不陌生，如我們家里的燈開關、家用電器的開關等，這些開關都是可以用手控制的，按一下就開，按一下又關。
然而，在電子電路中，本來各種電子元器件就很小，要再裝一個手控的開關就會占用很大空間。另外，電子電路經常涉及到高頻信號，也就是說，開關通斷的切換速度要非?？欤挚鼐透滑F實了，那該怎么辦呢？答案就在于開關管！
所謂開關管，其實就是各種半導體器件，如二極管、三極管、場效應管、晶閘管和IGBT等，這些半導體器件都可用作電子開關，控制電路的導通和關斷。其中場效應管（本文均指MOS管）和IGBT都是全控型開關管，換言之，IGBT和MOS管在電路中的導通和關斷都是可以用觸發(fā)信號控制的。那這IGBT和MOS管有沒有區(qū)別呢？顯然是有的。
MOS管和IGBT都是常見的開關管，常用在開關電源、變頻器、電動汽車等的電路板中。IGBT和MOS管的特性很相似，驅動方法也基本相同，絕大多數場合它們都是作為電子開關來使用。
從管腳來看，IGBT的3個管腳（正面）依次為柵極、集電極和發(fā)射極，MOS管的3個管腳（正面）依次為柵極、漏極和源極。從柵極管腳上可以看出，IGBT和MOS管都屬于絕緣柵型管，而IGBT的另2個管腳“集電極和發(fā)射極”顯然和三極管的管腳相同。
綜上，我們不難發(fā)現，IGBT其實就是MOS管和三級管的復合體，所以稱為絕緣柵雙極型晶體管，又稱場效應三極管。IGBT充分利用了場效應管和三極管的優(yōu)點，具有高電壓、高輸入阻抗、熱穩(wěn)定性好、電壓驅動型、大電流等優(yōu)點。
從外觀上看，IGBT明顯要比一般的MOS管大，看大小就知道IGBT是大功率元器件，事實也正是如此。IGBT主要用于大功率環(huán)境下，通常功率都在千瓦以上，比如電磁爐、電焊機中常?？吹絀GBT。而場效應管主要用于中小功率環(huán)境中，比如中小功率開關電源。
相較于MOS管，IGBT的最主要優(yōu)勢是耐高壓，大功率，一般耐壓在幾百伏以上，功率可以達到幾千到幾十萬瓦。而且IGBT在大功率環(huán)境下，壓降幾乎保持不變，可以一直保持在1.2-2伏左右，過載能力強，不易損壞。
而場效應管一般在低壓，中小功率環(huán)境下使用，功率一般在1000瓦以下。低壓低電流環(huán)境中，使用場效應管更有優(yōu)勢，因為場效應管的內阻小，在低電流情況下壓降要低于IGBT，而且開關速度也比IGBT快，所以一般開關電源里，常常選用場效應管。
總結一下，就是高壓、千瓦功率以上的用IGBT，低壓中小功率的環(huán)境用場效應管。
另外，前文說到，MOS管和IGBT的驅動方法基本相同，這里也簡單說一下。MOS管和IGBT都是電壓控制器件，控制極G（柵極，1腳）幾乎不消耗電流，有手指也能打開它。
兩者的3個管腳中，我們可以簡單把2腳、3腳當作機械開關的兩端，而1腳當作機械開關的切換按鈕，怎么觸發(fā)這個開關呢？簡單，我們只需給1腳加一個正向觸發(fā)電壓，2腳3腳就能導通。IGBT的飽和觸發(fā)電壓要比MOS管高一些，大概在15-18伏左右，但它們的柵極最高驅動電壓都不超過20伏。
MOS管和IGBT的控制極都有極電容效應，可以保持G極電壓，換言之，只要給控制極一個短暫的電壓，23腳就能保持接通，即使此時控制極的信號已經被撤掉。
關閉IGBT和MOS管的方法也很簡單，只需將G極接地放電或加一個反向電壓。原則上關斷電壓0V就夠了，但一般為了安全性和可靠性都會用負壓關斷，例如關斷電壓為-15V、-9V等。
以上就是IGBT和MOS管的相關內容，看到這里，你是否對兩者有了更為清晰的認識？